O Galaxy S25 da Samsung é o centro das atenções com grandes expectativas de desempenho de alto nível
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Já são grandes expectativas em relação ao Samsung Galaxy S25, principalmente para quem sempre presta muita atenção no desempenho. A Qualcomm apresentará o Snapdragon 8 Gen 4, que poderá chegar aos smartphones da série Galaxy S25, no Snapdragon Summit em outubro deste ano.
Samsung Galaxy S25
O que esperar do processador Samsung Galaxy S25 agora
De acordo com vários relatórios, o próximo SoC oferecerá um grande salto de desempenho em relação ao seu antecessor, o Snapdragon 8 Gen 3, que alimenta o Galaxy S24 Ultra. Um vazamento anterior afirmava que o Snapdragon 8 Gen 4 alcançaria uma pontuação single-core de 2.800 pontos no Geekbench, um grande salto em relação à pontuação de 2.100 pontos do Snapdragon 8 Gen 3. Pois bem, hoje temos notícias ainda mais interessantes sobre o próximo SoC.
Pois bem, hoje existem todas as condições para afirmar que o novo Snapdragon 8 Gen 4 tem tudo para superar o Apple A18. De acordo com um novo vazamento vindo da China, o Snapdragon 8 Gen 4 será capaz de atingir um único-pontuação principal de 3.500 pontos. Se isso for verdade, seria alucinante. Por outro lado, o chipset Apple A18, que deverá ser usado nos modelos do iPhone 16 Pro, deverá marcar 3.300 pontos no teste. O vazamento também diz que o desempenho multi-core e GPU do o Snapdragon 8 Gen 4 também será mais rápido que o Apple A18.
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Isso significa que o Snapdragon 8 Gen 4 dominará completamente o Apple A18, permitindo que a série Galaxy S25 supere a linha do iPhone 16 Pro. Se o vazamento for verdadeiro, um smartphone Samsung seria capaz de vencer um iPhone pela primeira vez em termos de desempenho de núcleo único. A frequência de clock de CPU mais alta do setor, provando que o Samsung Galaxy S25 pode realmente fazer a diferença neste contexto.
O Snapdragon 8 Gen 4 terá núcleos Oryon como núcleos principais e núcleos Pheonix como núcleos de alto desempenho. De acordo com outro vazamento, A Qualcomm terá clock dos núcleos Oryon a 4,3 GHz, um número inédito na indústria móvel e muito à frente da concorrência, e dos núcleos Pheonix de 3,8 GHz.
O informante que revelou esta informação também afirma que o chipset poderia consumir 1,3V de energia para atingir essas frequências, o que poderia causar vários problemas, incluindo superaquecimento e afogamento térmico, e que o Snapdragon 8 Gen 4 será o primeiro chipset da Qualcomm a usar Processo de fabricação N3E (3nm). Veremos se o Samsung Galaxy S25 realmente atingirá essas alturas no futuro.
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