Há rumores de que o iPhone 16 oferece armazenamento impressionante de 1 TB!
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As chances de poder tocar em um com as próprias mãos estão crescendo iPhone 16 equipado com 1 TB de memória interna em 2024. A Apple pode mudar o tipo de armazenamento flash usado em seus modelos de iPhone 16 de maior capacidade, considerando maior-densidade, mas NAND celular de nível quádruplo potencialmente mais lento.
iPhone 16
Coisas que você pode atualizar para um iPhone 16 com 1 TB de armazenamento interno
A Apple e outros fabricantes de smartphones aumentaram gradualmente a quantidade de armazenamento de seus produtos, mas isso aumenta o custo do hardware. Agora, Parece que a Apple está considerando usar uma opção de memória mais barata.
De acordo com fontes da indústria DigiTimes, A mudança pode levar a Apple a deixar de usar flash NAND de célula de nível triplo (TLC) para armazenamento em favor do flash NAND de célula de nível quádruplo (QLC). para modelos com capacidade de armazenamento de 1TB ou mais..
A tecnologia flash QLC NAND tem uma vantagem significativa sobre o TLC devido à sua capacidade de armazenar quatro bits de dados por célula de memória, em oposição aos três bits armazenados pelo TLC. Conseqüentemente, o QLC é capaz de armazenar mais informações do que o TLC, mantendo números semelhantes ou até menores de células de memória e capacidade. Este aumento de eficiência pode resultar em custos de produção reduzidos para os fabricantes.
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A comparação entre QLC e TLC, porém, pode não ter qualquer importância para a usabilidade do iPhone. Porém, o QLC faz isso com alguns sacrifícios. O flash QLC NAND é considerado menos confiável que o TLC, com resistência reduzida para gravação de dados porque há mais gravações por célula, pois cada célula contém um bit a mais.
A tecnologia emprega um número maior de níveis de armazenamento do que o TLC, o que permite acomodar mais informações por célula de memória. No entanto, para conseguir isso, é necessário o uso de margens menores para correção de erros durante as operações de leitura, resultando em uma suscetibilidade elevada à interferência de distúrbios eletromagnéticos, levando assim potencialmente ao aumento da incidência de corrupção de dados.
Se a Apple prosseguir com o plano, isso significaria, em última análise, que os usuários do iPhone 16 com 1 TB de armazenamento poderão experimentar velocidades de gravação de dados mais lentas do que aqueles com capacidade menor. Isso, por sua vez, pode reduzir alguns elementos de desempenho para usuários com alto desempenho. precisa.
A diferença de desempenho pode não ser considerada significativa o suficiente para ser um problema. Por exemplo, um SSD disponível comercialmente pode oferecer velocidades de gravação de 550 MB/s com memória flash TLC quando o cache de alta velocidade está cheio , enquanto uma versão TLC comparável pode atingir 450 MB/s ou 500 MB/s.
Isso é mais preocupante para um computador estações de trabalho do que para um dispositivo móvel. As gravações flash de dispositivos móveis tendem a ocorrer em rajadas, em vez de prolongadas como uma estação de trabalho.
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