Intel lança revolucionário transistor CMOS empilhado 3D para maior eficiência energética
A Intel anunciou um novo avanço na indústria, um novo transistor CMOS com design de empilhamento 3D, ao qual é adicionado um sistema de alimentação traseira e contato direto na parte traseira. Embora tudo isso pareça muito inespecífico, a tradução rápida e fácil é oferecer maior desempenho e escalabilidade para uma futura geração de chips. Como esperado, tudo isso estará ligado a melhorias importantes relacionadas com a eficiência energética.
Especificamente, foi no IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), onde a Intel apresentou esses transistores CMOS empilhados 3D. Eles prometem avanços pioneiros que ampliarão a Lei de Moore. Esta tecnologia será complementada com outras já utilizadas para fazer com que a Intel recupere a sua era de ouro num futuro próximo.
Vamos examinar um pouco mais de perto o que implica o uso de transistores CMOS empilhados 3D pela Intel.
Especificamente, os avanços nos transistores CMOS da Intel se traduzem no desenvolvimento de tecnologias de ponta vinculadas a mais escalonamento. Isso impacta em um melhor desempenho , ao qual se soma o uso de energia de forma mais eficiente. A Intel indica que tudo isso será utilizado na próxima geração de laptops.
A Intel introduziu recentemente uma série de avanços tecnológicos que abrirão caminho para uma série de desenvolvimentos de ponta em seu futuro roteiro de produtos, defendendo e fazendo progredir efetivamente os princípios da Lei de Moore. Pesquisadores da Intel apresentaram avanços significativos em transistores CMOS empilhados tridimensionais acompanhados de configurações de contato frontal e traseiro. Além disso, divulgaram descobertas relativas a caminhos escaláveis para esforços recentes de investigação e desenvolvimento centrados no fornecimento de energia a partir da parte posterior dos circuitos integrados, incluindo contactos posteriores. Notavelmente, a Intel foi a primeira entidade a conseguir demonstrações bem-sucedidas de integração 3D monolítica em larga escala usando transistores de silício e nitreto de gálio (GaN) no mesmo 30
À luz da transição iminente para a Era Angstrom e do rápido ritmo de avanço em direção a um futuro com cinco ou mais transistores nos próximos quatro anos, tornou-se cada vez mais imperativo inovar continuamente. Durante o próximo International Electron Devices Meeting (IEDM) 2023, a Intel apresentará seus esforços contínuos de pesquisa que impulsionam a progressão da Lei de Moore, demonstrando o compromisso inabalável da empresa em fornecer soluções tecnológicas de última geração que facilitam maior escalabilidade e maior eficiência energética para a próxima era de dispositivos de computação móveis. Estas observações foram expressas por Sanjay Natarajan, vice-presidente sênior e gerente geral de pesquisa de componentes da Intel.
Resto da informação que sabemos sobre esses transistores
Porque é importante: O escalonamento do transistor e a alimentação traseira são essenciais para ajudar a atender à demanda exponencialmente crescente por uma computação mais poderosa. Ano após ano, a Intel atende a essa demanda computacional, demonstrando que suas inovações continuarão a impulsionar a indústria de semicondutores e continuarão sendo a pedra angular da Lei de Moore. O grupo de pesquisa de componentes da Intel ultrapassa constantemente os limites da engenharia empilhando transistores, levando a potência traseira para o próximo nível para permitir Maior escala de transistores e melhor desempenho, além de demonstrar que transistores feitos de materiais diferentes podem ser integrados no mesmo wafer.
Anúncios recentes de roteiro de tecnologia de processo, que destacam a inovação da empresa em escalonamento contínuo-incluindo alimentação traseira PowerVia, substratos de vidro para embalagens avançadas e Foveros Direct-, originados da Components Research e devem estar em produção nesta década.
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