Um salto em eficiência

A Samsung Foundry, uma subsidiária da Samsung Electronics especializada em design de semicondutores, alinha-se perfeitamente com suas intenções originais para o processo de fabricação de 3 nanômetros (nm) de segunda geração. Como resultado, espera-se que os primeiros chips utilizando esta tecnologia estejam disponíveis até o final de 2024, permitindo a produção de dispositivos de última geração, como o aguardado Galaxy Watch 7.

Samsung começou a entregar seus primeiros chips de 3nm em 2022//Fonte: Samsung Foundry

À luz da posição proeminente da TSMC como uma fundição independente, a Samsung Foundry permanece firme e inabalável na sua busca. Aproximadamente dezoito meses após o lançamento de sua tecnologia inaugural de chip Gate-All-Around (GAA) de 3 nanômetros, parece que a subsidiária da Samsung Electronics responsável pelo design de semicondutores está no caminho certo no que diz respeito ao cumprimento do cronograma projetado para o lançamento de seu processo de fabricação de chips de 3nm de segunda geração.

De acordo com uma declaração anterior feita pela TechSpot no final de 2023, a empresa expressou intenções de iniciar a fabricação em grande escala de chips utilizando sua arquitetura proprietária “SF3” de 3 nm durante a segunda metade de 2024. Ao mesmo tempo, eles pretendiam introduzir o Processo “HPC”, projetado especificamente para gravação de 4 nm.

Na verdade, verificamos que a consecução do nosso duplo objetivo será alcançada dentro do prazo especificado, devido ao facto de a Samsung Foundry ter iniciado os testes utilizando uma versão preliminar do seu produto.

Samsung Foundry nos blocos iniciais

A Samsung Foundry está focada em avaliar a funcionalidade e a confiabilidade de dispositivos semicondutores produzidos usando seu recém-desenvolvido 3

A Samsung lançou recentemente uma versão aprimorada de seu processo Gate-All-Around (GAA) de 3 nanômetros, chamado SF3, que representa uma evolução da tecnologia GAA de 3 nm lançada anteriormente. O processo SF3 apresenta melhorias notáveis ​​em relação à metodologia GAA de 3nm existente da Samsung Foundry, proporcionando desempenho até 22% melhor, mantendo consumo de energia e contagem de transistores semelhantes. Além disso, este processo avançado permite uma redução considerável no consumo de energia de até 34%, em comparação com a geração anterior, sem comprometer o desempenho. Além disso, o processo SF3 permite um design mais compacto, pois pode reduzir potencialmente a área de superfície ocupada pelos chips de 3 nm nos dispositivos em aproximadamente 36%.

Prevê-se que a integração do chip SF3 avançado de 3 nm no próximo Galaxy Watch 7 proporcione uma vantagem competitiva significativa. Além disso, prevê-se que esta tecnologia inovadora possa posteriormente ser utilizada na produção de futuros processadores Exynos 2500 para o tão aguardado smartphone Galaxy S25, com lançamento previsto para o curto prazo.

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